东兴证券-国防军工：IGBT深度研究——军民两用元器件系列研究之功率半导体-200908

　　要点1：功率半导体器件是电力电子装置实现电能转换、电源管理的核心器件，主要功能有变频、变压、整流、功率转换和管理等，兼具节能功效。功率半导体器件广泛应用于移动通讯、消费电子、电动车、轨道交通、工业控制、发电与配电等电力电子领域，主要分为功率分立器件、功率集成电路(即PowerIC/PIC，又称为功率IC)和功率模组三类。从功率半导体的发展路径来看，更高功率密度，更小的体积，更低的功耗及损耗是其技术演进的重点方向。随着技术的进步与功率半导体器件的不断演进，在下游市场中，功率半导体器件MOSFET、IGBT和功率集成电路逐步成为了主流应用器件。
　　要点2：功率半导体在多领域广泛应用，我国市场前景持续向好，其增长动力主要有以下几个方面。一是为保障国防安全，军用功率半导体加快国产化进程。二是新能源汽车和充电桩的需求不断增加。从传统汽车转变到新能源汽车，汽车动力源发生根本性改变，原材料成本增长最大的部分就是功率半导体。新能源汽车是功率半导体市场增长的最大原动力。三是5G时代的到来会大幅增加通信基站建设，交换机、路由器及供电系统中的逆变器和整流器也对功率半导体有着广泛的应用。四是物联网市场的爆发式增长促进功率半导体规模化应用。
　　要点3：2019年全球功率半导体器件市场规模为381亿美元，预计2022年达到约426亿美元的市场规模，年复合增长率约为3.79%。功率二极管是中国发展最好，国产化率最高的功率半导体器件。许多国际大厂正逐渐放弃该市场，产能正在向中国大陆和中国台湾转移。从2014年起中国大陆的二极管及相关产品就出口量超过进口量。从市场份额来看，MOSFET的市场集中度很高，前八大供应商占领了约75%的市场份额。而本土企业中士兰微和华微电子分别以1.8%、1.1%的市占率位列第11、第15位，国产替代空间巨大。全球IGBT市场成长迅速，年复合增长率维持在7%-9%之间，中国成为IGBT需求上升最快的国家之一。IGBT器件主要由欧洲、美国、日本三个国家（地区）提供，占据了大约70%的市场份额。
　　要点4：IGBT是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品，从上世纪80年代至今经历了六代技术演变，现具有高频率、高电压、大电流，易于开关等优良性能，被业界誉为功率变流装置的“CPU”。目前国内外IGBT市场仍主要由外国企业占据，虽然我国IGBT市场需求增长迅速，但由于国内相关人才缺乏，工艺基础薄弱，国内企业产业化起步较晚，IGBT模块至今仍几乎全部依赖进口，市场主要由欧洲、日本及美国企业占领。但国内厂商发展具有自身优势，从需求端讲，中国功率半导体需求量世界第一；从供给端讲，自主可控是发展趋势。同时国内的半导体功率企业相较于国外厂商往往具备成本与定制化的相对优势，国内功率半导体行业具备较高的实现进口替代的可能性。
　　投资策略：短期内我们看好军用功率半导体领域的国产替代，长期民用新能源汽车IGBT想象空间巨大。振华科技在自身经营阻感容、分立器件等军用元器件的基础上，横向收购森未科技后进入IGBT领域，与其自身的经营范围高度重合。且军用IGBT市场竞争小，替代空间大，短期内能给公司带来业绩与估值的双重抬升。长期看我国电动车发展长期向上趋势不变，随着新能源汽车厂竞争格局的确定，我国民用IGBT公司龙头效应将凸显。
　　风险提示：下游需求不及预期、军用市场替代不及预期、新能源汽车产业发展不及预期。