东方证券-电子行业深度报告：下游新兴领域需求旺盛，化合物半导体前景可期-200630

　　核心观点
　　突破 Si 的瓶颈，化合物半导体优势显著：Si 是应用最广泛的半导体材料，但无法突破高温、高功率、高频等瓶颈。 二元系化合物半导体材料GaAs/GaN/SiC 具备高功率密度、低能耗、抗高温、高发光效率等特性，能弥补 Si 材料的不足，在射频、功率器件、光电子及国防军工等应用领域优势显著。
　　受益射频和光电子需求旺盛，GaAs 有望保持持续高增长：射频端，5G 手机需要更多的 PA，有望从 4G 手机的 7 个增长到 10 个，而且 5G 高频时代，相比 Si CMOS PA，GaAs PA 在输出功率、工作频率等方面的性能更优，渗透率将会持续提升。此外，手机 WIFI PA 和路由器 WIFI PA 对 GaAs需求也有望保持快速增长。光电子端，3D 深度相机 VCSEL 激光器打开了GaAs 新的增长领域， 17 年苹果率先在 iPhone X 前置结构光摄像头上采用，并在今年 iPad Pro 的后置 ToF 摄像头上采用，其他厂商有望跟进。根据中国产业信息的报告，全球 GaAs 产值有望从 2018 年的 89 亿美元，增长到2023 年的 143 亿美元，19-23 年 CAGR 为 10%。
　　GaN：5G 射频关键的材料，射频/电力电子领域优势显著。GaN 器件适合高频、高功率、低压应用领域，广泛应用于 5G 基站、雷达等微波射频领域、以及快充领域。全球主要国家都已开启 5G 商用，5G 宏基站建设正处于放量阶段，以中国为例，国内 5G 宏基站建设预计于 2023 年左右达到高峰，年新增 5G 宏基站 115 万个以上，此外 GaN 的军用雷达升级需求也在快速放量。根据 Qorvo 的预测，全球 GaN 射频器件市场规模将从 2018 年的 4.3亿美元增长到 2022 年的 19.1 亿美元，CAGR 约 45%。19 年，OPPO 首推 GaN 充电器，随后小米、华为等厂商先后加入，根据 Yole，如果苹果等厂商跟进，全球手机快充用 GaN 功率半导体市场规模在 2024 年有望超过7.5 亿美元，算上在其他消费电子、数据中心等潜在市场的应用，市场空间有望更大。
　　SiC：高压功率半导体关键材料，受益于新能源汽车快速增长。 SiC 在 600V的功率器件具有优势，相比 Si 基器件，SiC 功率半导体具备轻量化、高效率、耐高温等特性， 而且可以有效降低新能源汽车系统成本。新能源车及充电桩快速放量，SiC 充分受益。根据 Yole 的预测，全球电动汽车和充电桩SiC 功率器件市场规模将从 2018 年的 0.65 亿美元增长至 2023 年的 4.4 亿美元，CAGR 为 46%。除此之外，轨道交通、供电、电机驱动等领域也将保持较快的增速。总体来看，全球 SiC 功率器件市场规模将从 2018 年的3.7 亿美元增长至 2023 年的近 14 亿美元，CAGR 超过 30%。
　　投资建议与投资标的
　　建议关注领先布局化合物半导体材料的三安光电、扬杰科技、华润微。
　　风险提示
　　市场需求不及预期；核心技术研发不及预期